ส่วนยุทธศาสตร์และมาตรฐานเทคโนโลยี

STRATEGY AND TECHNOLOGICAL STANDARD DIVISION

071322
Today
Yesterday
This Week
Last Week
This Month
Last Month
All days
110
151
1021
69254
1439
4831
71322

Your IP: 34.204.185.54
2021-04-10 21:10
15พ.ย.201601:32

.

นักวิจัยประสบความสำเร็จในการทดลอง Transistor Gate ระดับ 1 นาโนเมตร ก้าวข้ามข้อจำกัด

จากข้อจำกัดเดิมในการผลิตทรานซิสเตอร์ด้วยวัสดุจากซิลิกอนนั้น เกตของทรานซิสเตอร์จะไม่สามารถมีขนาดเล็กกว่า 5nm (5 ส่วนใน 1 พันล้านส่วนของ 1 เมตร) หรือประมาณ 1 ใน 10,000 ส่วนของความหนาเส้นผมมนุษย์ เนื่องจากจะทำให้อิเล็กตรอนวิ่งทะลุผ่านเกตของทรานซิสเตอร์ได้ และทรานซิสเตอร์นั้นจะมีค่าเป็น 1 ตลอดเวลา ถือว่าไม่สามารถใช้งานได้แต่ทีมนักวิจัยจาก Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley Lab) หนึ่งในหน่วยงานของกระทรวงพลังงาน ประเทศสหรัฐอเมริกา ได้ทดลองนำเอา Molybdenum disulfide (MoS2) ซึ่งเป็นสารในน้ำมันหล่อลื่นเครื่องยนต์ ร่วมกันกับ Carbon Nanotubes มาทำเป็นเกตของทรานซิสเตอร์ ซึ่งจะมีความสามารถในการต้านทานการทะลุผ่านของอิเล็กตรอนได้ดีกว่าเกตที่ทำจากซิลิกอนผลที่ได้ก็คือ ทรานซิสเตอร์ต้นแบบที่สามารถมีเกตได้เล็กกว่าเดิมมากถึง 5 เท่าหรืออาจจะเล็กลงไปได้อีกมากกว่านี้ ซึ่งจะช่วยลดการใช้พลังงานของทรานซิสเตอร์และชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่สร้างจากทรานซิสเตอร์อย่างเช่น CPU ก็จะมีขนาดที่เล็กลงตามไปด้วยหากว่าผลการวิจัยนี้สามารถถูกนำมาใช้ผลิตเชิงอุตสาหกรรมได้จริงต่อไป

ที่มา: http://www.zolkorn.com/news/berkeley-sucess-to-makes-1nm-transistor-gate/